3528FIRC-81L14I100

810 нм інфрачервоний світлодіод, 810 нм SMD світлодіод, 810 нм світлодіодний отвір широко використовуються для розблокування сітківки для нашого смартфона. ІЧ-світлодіод 810 нм - це функціональний інфрачервоний світлодіод для різних типів застосування . Shenzhen Best LED Opto-Electronic Co., Ltd упаковує цей 810 нм світлодіод з різним корпусом, щоб переконатися, що ці світлодіоди можуть бути легко вписані в різні проекти. 3528FIRC-81L / 14I100 - це високоефективний інфрачервоний випромінюючий діод із матеріалу GaAlAs. 810 нм - це інфрачервоне світло, яке також ідеально підходить для лазерної терапії низького рівня. Встановлено, що це може стосуватися багатьох медичних показань, що вимагають зменшення болю та запалення та стимулювання загоєння. Вам потрібен світлодіод 810 нм для вашого проекту? Зв'яжіться з нами зараз!

- Параметри розміру

Ці світлодіодні корпуси SMD також доступні для ІЧ-світлодіодів, УФ-світлодіодів, синіх світлодіодів SMD, червоних світлодіодів SMD, бурштинових світлодіодів тощо.

- Випромінює колір -

- Електричні параметри -

Абсолютний максимальний рейтинг при Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	250mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Оптичні та електричні характеристики ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.7		2.5	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		2.8		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	40		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	800	810	820	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		4.8		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 810 нм світлодіод -

- Золотий провід -

* Ми пакуємо його вакуумною упаковкою після скотча як котушку

- Виробництво -

- Використання -